松下晶圓定位傳感器主要技術指標
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產品名稱: 松下晶圓定位傳感器主要技術指標
產品型號: M-DW1
產品展商: 神視SUNX
產品文檔: 無相關文檔
簡單介紹
松下晶圓定位傳感器主要技術指標M-DW1
特點
安全性**的LED式
以往使用激光的激光式定位傳感器，激光會從加載口內側穿過FOUP直射操作人員，十分危險。
M-DW1成功使用LED光源。確保操作人員安全。
可檢測涂氮晶圓
松下晶圓定位傳感器主要技術指標M-DW1
松下晶圓定位傳感器主要技術指標
的詳細介紹
松下晶圓定位傳感器主要技術指標M-DW1
特點
安全性**的LED式
以往使用激光的激光式定位傳感器，激光會從加載口內側穿過FOUP直射操作人員，十分危險。
M-DW1成功使用LED光源。確保操作人員安全。
可檢測涂氮晶圓
氮化膜具有可吸收特定波長光的性質，吸收的波長因氮化膜的厚度而不同。因此，對于使用單波長激光的傳感器，可能會因光全被吸收而無法檢測。
而LED光源的光具有一定波長段，即使氮化膜晶圓也可準確檢測。
0.5ms的*速反應
實現0.5ms的*速反應。兼顧*速反應性和*精度。
亦可檢測玻璃晶圓
M-DW1以反射光的位置來檢測，不管反射光量的多少都能檢測出玻璃晶圓。
基于2段受光元件的*精度位置檢測
利用反射光量檢測時，反射光量和晶圓的邊緣形狀會影響檢測結果。M-DW1的受光部使用2段受光元件，通過反射光位置而非反射光量進行檢測。因此，受晶圓厚度和反射光量的影響較小。
技術參數
中心測量距離 45mm
檢測物體 3英寸以上的半導體晶圓
(注):檢測8英寸以下的晶圓時，可能會因晶圓間距、定位邊或表面的狀態(tài)等而影響檢測。
可對應檢測面 有受光方向反射面的端面形狀的檢測面
(注):對于經研磨后厚度變薄的晶圓，如果其端面呈刀刃狀，可能會因光線不能從檢測面向受光方向反射而難以檢測。
輸出:輸出動作 可用切換開關選擇入光時ON/非入光時ON
輸出:短路保護 裝備(自動復位)
投光停止輸入 信號條件
?投光停止：斷開或4?8V
?投光：0?3V或9V?+V(26.4V MAX.)
靈敏度切換輸入 信號條件
?輸入OFF：斷開或4?8V
?輸入ON ：0?3V或9V?+V(26.4V MAX.)
靈敏度設定方法 背面教導：按本體靈敏度設定按鈕運行
檢測靈敏度切換：本體開關2bit、4級或外部輸入的2級選擇式
反應時間 500μs以下
工作狀態(tài)指示燈 橙色LED(輸出ON時亮起)
穩(wěn)定指示燈 綠色LED(穩(wěn)定入光時、穩(wěn)定非入光時亮起點燈)
定時器功能 裝備約2ms固定斷開延遲定時器 有效/無效切換式
檢測角度 12.5±5°
(注):晶圓旋轉時，定位邊的*** 大跳動角度約為±20°。
晶圓間距 間距3mm以上時，可按通常靈敏度進行分離檢測
(注):斜向插入8英寸晶圓時的中央附近的間距。檢測帶定位邊的晶圓時，對于避開定位邊的檢測位置，晶圓間距變得更窄，檢測信號無法分解，變?yōu)檫B續(xù)的寬幅信號。
適用晶圓盒 SEMI規(guī)格FOUP晶圓盒/開放式晶圓盒
電源電壓 12?24V DC±10% 脈動P-P10%以下
消耗電流 65mA以下
耐環(huán)境性:絕緣電阻 所有電源連接端子與外殼之間，20MΩ以上，基于DC250V的*阻表
耐環(huán)境性:耐振動 頻率10?500Hz 雙振幅3mm X,Y和Z方向各2小時
耐環(huán)境性:耐沖擊 耐久98m/s2(約10G) XYZ方向各5回
投光元件 LED(調制式)
耐環(huán)境性:保護構造 IP20(IEC)
耐環(huán)境性:使用環(huán)境溫度 0℃-＋55℃(注意不可結露)、存儲時：?10℃-＋70℃
耐環(huán)境性:使用環(huán)境濕度 35%-85%RH、存儲時： 35%-85%RH
耐環(huán)境性:使用環(huán)境照度 白熾燈：受光面照明度3,000lx以下、熒光燈：受光面照明度1,500lx以下
耐環(huán)境性:耐電壓 AC1,000V 1分鐘 所有電源連接端子與外殼之間
輸出 NPN輸出／PNP輸出 可由切換開關選擇
NPN開路集電極晶體管
?*** 大流入電流：100mA
?外加電壓：30V DC以下(輸出和0V之間)
?剩余電壓：1V以下(流入電流為100mA時), 0.4V以下(流入電流為16mA時)
PNP開路集電極晶體管
?*** 大源電流：100mA
?外加電壓：30V DC以下(輸出和+V之間)
?剩余電壓：1V以下(源電流為100mA時), 0.4V以下(源電流為16mA時)
松下晶圓定位傳感器主要技術指標M-DW1
